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国产套刻8nm光刻机引争议 部分关键指标不如ASML 2006年推出的干式DUV光刻机XT 1450,所以总体差距在15—20年-我淘网

国产套刻8nm光刻机引争议 部分关键指标不如ASML 2006年推出的干式DUV光刻机XT 1450,所以总体差距在15—20年

日前,工信部印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称“目录”)中显示,中国已攻克氟化氩光刻机,其中该目录中,公开可见的与光刻机代际水平和性能等密切相关的光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm指标引发...

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